Berikut ini adalah postingan artikel kamus teknis bidang teknik teknologi Keinsinyuran yang menjelaskan tentang pembahasan pengertian, definisi, dan arti dari istilah kata ferroelectric random access memory (fram) berdasarkan dari berbagai jenis macam sumber (referensi) relevan, terkait, serta terpercaya yang sudah Kami rangkum dan kumpulkan.
Daftar isi konten:
Pengertian Ferroelectric Random Access Memory (FRAM)
Baiklah, jadi, apa itu sebenarnya yang dimaksud dengan ferroelectric random access memory (fram) ini?
Berikut adalah penguraian pengertian dari kamus teknik teknologi Keinsinyuran.
Memori akses acak feroelektrik (FRAM, F-RAM atau FERAM) adalah bentuk memori yang tidak mudah menguap mirip dengan DRAM dalam arsitektur.
Namun, ia menggunakan lapisan feroelektrik sebagai pengganti lapisan dielektrik untuk mencapai non-volatilitas.
Dianggap sebagai salah satu alternatif potensial untuk teknologi memori akses acak yang tidak mudah menguap, memori akses acak feroelektrik memberikan fitur yang sama seperti memori flash.www.keinsinyuran.com
Penjelasan dari Apa itu Pengertian, Arti, dan Istilah Teknis Kata Ferroelectric Random Access Memory (FRAM)
Untuk dapat lebih mendalami arti penjelasan serta maksud dari acronym atau kata tersebut di atas, kita semua tentunya juga harus memahami betul terkait penjelasan terkait apa itu pengertian, makna, dan akronim, istilah, jargon, atau terminologi ferroelectric random access memory (fram) .
Di sini, perlu Kami jelaskan bahwa dalam menguraikan artinya sendiri, pasti kita harus mendasari penjelasannya dari sumber terkait, relevan, dan terpercaya, baik itu yang berasal situs engineering-dictionary ataupun kamus sejenis bidang teknik, teknologi, maupun secara langsung yang bersumber dari pengertian menurut para ahli dan pakar di bidangnya sebagai berikut.
Terlepas dari namanya, memori akses acak feroelektrik sebenarnya tidak mengandung zat besi. Noramlly menggunakan titanat zirkonat timbal, meskipun bahan lain juga kadang -kadang digunakan. Meskipun pengembangan RAM ferroelektrik berasal dari masa -masa awal teknologi semikonduktor, perangkat pertama berdasarkan RAM feroelektrik diproduksi sekitar tahun 1999. Sel memori RAM feroelektrik terdiri dari garis bit serta kapasitor yang terhubung ke pelat. Nilai biner 1 atau 0 disimpan berdasarkan orientasi dipol dalam kapasitor. Orientasi dipol dapat diatur dan dibalik dengan bantuan tegangan. Dibandingkan dengan teknologi yang lebih mapan seperti Flash dan DRAM, ram ferroelektrik tidak terlalu digunakan. Ram feroelektrik kadang-kadang tertanam ke dalam chip berbasis CMOS untuk membantu MCU memiliki ingatan ferroelektrik mereka sendiri. Ini membantu dalam memiliki lebih sedikit tahapan untuk memasukkan memori ke dalam MCU, menghasilkan penghematan biaya yang signifikan. Ini juga membawa keuntungan lain memiliki konsumsi daya rendah dibandingkan dengan alternatif lain, yang sangat membantu MCU, di mana konsumsi daya selalu menjadi penghalang. Ada banyak manfaat yang terkait dengan RAM feroelektrik. Dibandingkan dengan penyimpanan flash, ia memiliki konsumsi daya yang lebih rendah dan kinerja penulisan yang lebih cepat. Dibandingkan dengan teknologi yang serupa, RAM feroelektrik memberikan lebih banyak siklus penulisan-erase. Ada juga keandalan data yang lebih besar dengan RAM feroelektrik. Ada kekurangan tertentu yang terkait dengan RAM feroelektrik. Ini memiliki kapasitas penyimpanan yang lebih rendah dibandingkan dengan perangkat flash dan juga mahal. Dibandingkan dengan DRAM dan SRAM, RAM feroelektrik menyimpan lebih sedikit data di ruang yang sama. Juga, karena proses membaca RAM feroelektrik yang merusak, diperlukan arsitektur yang ditulis-tertulis. RAM feroelektrik digunakan dalam banyak aplikasi seperti instrumentasi, peralatan medis dan mikrokontroler industri. Istilah Sinomim: RAM feroelektrik, feram, f-ram
Seperti yang dapat kita semua pahami, maksud definisi sendiri adalah sebuah limit, (a limitation) yang bermakna pembatas serta penerangan tentang apa itu arti suatu makna.
Definisi yang dimaksud di sini dapat diartikan dengan penguraian yang memberikan penggambaran, dan juga memberitahu akan sebuah pemaknaan, arti, ataupun karakteristik utama dari sesuatu baik itu, terkait prosesnya, kegiatannya, ataupun seseorang.
Seperti yang dapat Anda lihat pada bagian pengertiannya di atas, secara literal (makna harfiah atau aslinya), khususnya secara bahasa, kata “ferroelectric random access memory (fram)” ini diartikan sebagai “memori akses acak feroelektrik (fram)” dalam bahasa Indonesia.
Selain itu, istilah ini juga merupakan salah satu dari kumpulan kamus, akronim, istilah, jargon, atau terminologi dalam bidang teknik dan teknologi yang dimulai dengan awalan F, serta merupakan terms yang terkait dengan Hardware.
Arti Ferroelectric Random Access Memory (FRAM) dalam Kamus Terjemahan Bahasa Indonesia dan Inggris
Selain membahas tentang pengertian dan penjelasan definisinya, untuk lebih memperluasnya di sini Kami juga akan membahas apa arti kata ferroelectric random access memory (fram) dalam kamus terjemahan bahasa Indonesia dan Inggris.
Agar lebih mudah untuk dipahami, di postingan khusus kamus ini Kami akan menguraikannya berupa tabel terjemahan bahasa Indonesia dan Inggris seperti yang dapat dilihat di bawah ini.
Jenis | Bahasa Indonesia | Bahasa Inggris |
Terminologi | memori akses acak feroelektrik (fram) | ferroelectric random access memory (fram) |
Kategori | perangkat keras | hardware |
Penutup
Baiklah, di atas adalah penjelasan dan penguraian tentang apa itu arti dari akronim, istilah, jargon, atau terminologi ferroelectric random access memory (fram).
Semoga kamus, glosarium, atau kumpulan istilah teknis bidang teknik teknologi yang sudah Kami bagikan di artikel ini dapat bermanfaat serta dapat menambah wawasan para pembaca.
Jangan lupa lihat juga penjelasan terkait apa itu pengertian, makna, dan akronim, istilah, jargon, atau terminologi kata lainnya yang berhubungan dengan bidang Teknik dan Teknologi yang ada di laman kamus Keinsinyuran Kami.
Sumber (Referensi)
Glosarium Keinsinyuran ini dibuat berdasar dari simpulan arti definisi dari berbagai referensi terkait (relevan) yang Kami anggap terpercaya seperti Wikipedia, Oxford Technology Dictionary dan beberapa sumber lainnya. Kata Ferroelectric Random Access Memory (FRAM) ini merupakan salah satu dari kumpulan istilah “Hardware” dalam bidang teknologi yang dimulai dengan F. Artikel kamus ini di-update pada bulan May tahun 2024.
- https://id.wikipedia.org/wiki/keinsinyuran
- https://id.wikipedia.org/wiki/teknik
- https://id.wikipedia.org/wiki/teknologi
- https://id.wikipedia.org/wiki/teknis
- https://id.wikipedia.org/w/index.php?search=ferroelectric-random-access-memory-fram
- https://www.oxfordreference.com/search?source=%2F10.1093%2Facref%2F9780199587438.001.0001%2Facref-9780199587438&q=ferroelectric-random-access-memory-fram
- Lihat contoh gambar ferroelectric-random-access-memory-fram melalui Google di sini
- Lihat contoh gambar ferroelectric-random-access-memory-fram di Bing di sini